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FANMETAL suministra el objetivo de pulverización catódica de aluminio de tungsteno de aleación W-Ti utilizado en el sistema de recubrimiento PVD en el campo de los semiconductores. Contenido de Ti 10% ~ 50%, normalmente suministramos la composición WTi 90:10. También proporcionamos otros metales objetivo y material de evaporación de alta pureza 99,9999%, objetivo de metales preciosos (Au, Ag, Pt), servicio de unión de objetivos, revestimientos de crisol (cobre, molibdeno, tungsteno, etc.)
Proceso:
La sinterización por presión en caliente HP, el aislamiento de alta presión y alta temperatura, producen una aleación de tungsteno y titanio de buena densidad. La densidad alcanza más del 99,5%, mecanizado de precisión, buena densidad, buena pureza y buen acabado superficial.
La razón principal por la que el chip semiconductor elige una nueva capa de barrera de aleación de tungsteno y titanio como objetivo y como capa de unión por difusión es que la aleación tiene una buena capacidad de adhesión a la superficie y excelentes características de disipación de calor. De esta forma, el producto preparado tendrá un mayor rendimiento integral.
La aleación de tungsteno-titanio es una aleación que tiene las ventajas de los metales de transición tungsteno y titanio. Tiene mayor densidad y pureza, mejor resistencia a la corrosión y efectos de expansión de volumen más pequeños, lo que puede reducir eficazmente el número de cambios en el proceso de fabricación. La formación de partículas medianas puede preparar con éxito películas de alta calidad.
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